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共聚焦拉曼光谱仪3大优势

点击次数:2022  发布时间:2018-01-10
   拉曼光谱技术以其信息丰富、制样简单、水的干扰小等独特优点,在化学、材料、物理、高分子、生物、医药、地质等领域有着广泛的应用。共聚焦拉曼光谱仪是其中的一种,以其独有的优势占据着广阔的市场。

共聚焦拉曼光谱仪

  共聚焦拉曼光谱仪3大优势:
  1、独特的灵活性:
  共聚焦拉曼光谱仪另一个独特的优势就是可在系统中配备一个附加出口。用双出口选项,可多配备一个红外InGaAs阵列,ICCD,PMT或其它专业单道探测器。实际上,该系统有很宽的激光光源适应能力和多探测器选项,能提供很宽的光谱范围或进行时域分析。
  近红外探测器对于在830纳米或1064纳米激发下的发光测量(例如对于半导体材料)和拉曼分析等特别有用。这两种应用下的光谱都在标准硅器件CCD探测器的测量范围之外,例如,一些重要的III-V族半导体材料的重要信息在1100纳米和1300纳米区域,不在硅器件的敏感探测区。用其它的探测器(如InGaAs或Ge探测器),就很容易实现这个区域的测量.
  2、高分辨:
  共聚焦拉曼光谱仪具有800毫米的光谱仪焦长,其所能达到的分辨率约为标准300毫米焦长拉曼谱仪的3倍,比250毫米焦长的老式设计拉曼谱仪更高。从下图可以清楚地看到,用高分辨率系统采集的谱图有更多的数据点,在进行微小的拉曼峰移分析时,比短焦长系统准确的多。同时用HR系统能更准确地给出拉曼谱峰的峰形这一重要的参数,峰位和峰形都能表征重要的样品变化。
  3、应力引起的拉曼位移:
  共聚焦拉曼光谱仪是一种理想的应用测量工具。左图中固体相硅应力拉曼分析表明可识别出0.3cm-1的拉曼峰移。半导体器件中的新型SOI和SiGe薄膜具有类似的小峰位和峰形改变,非常适合用共聚焦拉曼光谱仪进行测量。
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