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ATT1100--雪崩二极管(APD)--激光测距用

型 号

所属分类荧光光谱仪

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产品描述:ATT1100--雪崩二极管(APD)--激光测距用
ATT1000是专门为激光测距优化设计的雪崩二极管(APD),具有高速响应、高增益、低结电容、低噪声的特点,非常适合激光测距、雷达等应用。

产品概述

ATT1100--雪崩二极管(APD)--激光测距用 

ATT1000是专门为激光测距优化设计的雪崩二极管(APD),具有高速响应、高增益、低结电容、低噪声的特点,非常适合激光测距、雷达等应用。

 

ATT1100--雪崩二极管(APD)--激光测距用 

特征:

l  高速响应、高增益、低结电容、低噪声

l  正照平面型芯片结构

l  230μm500μm光敏面可选

l  陶瓷贴片封装

l  内置滤波片(635nm窄带)和白玻窗可选

 

典型应用:

l  激光测距

l  激光告警

l  激光雷达

1       zui大额定值

参数名称

符号

zui小值

zui大值

单位

工作温度

TOP

-20

85

储存温度

Tstg

-55

125

工作电压

Vop

 

0.9×VBR

V

焊接温度

Stemp

 

260

耗散功率

  

1

mW

正向电流

  

1

mA

2       光电性能(@Tc=22±3℃)

特性参数

符号

测试条件

zui小

典型

zui大

单位

光谱响应范围

λ

4001100

nm

光敏面直径

φ

2001)、5002

μm

响应度

Re

λ=800nmφe=1μW, M=1

 

0.5

 

A/W

响应时间

tS

f=1MHz,RL=50Ω,λ=800nm

 

0.3

 

ns

暗电流

ID

M=100

0.021

0.051

0.41

nA

0.052

0.12

0.52

总电容

Ctot

M=100,f=1MHz

 

1.51

 

pF

 

32

 

zui适宜的放大倍数

M

  

100

  

反向击穿电压

VBR

IR=10uA

80

 

200

V

工作电压温度系数

δ

Tc=-40℃85℃

 

0.51

 

V/℃

 

0.5(2)

 

 

注:

(1)       为光敏面φ230μm器件之参数

(2)       为光敏面φ500μm器件之参数

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